快恢复二极管和肖特基二极管的区别

快恢复二极管和肖特基二极管的区别主要体现在以下几个方面，分别是结构原理不同、反向恢复时间不同、反向峰值不同以及正向导通压降不同。

1、结构原理不同。肖特基二极管是贵重金属和 n 型半导体结合成，而快恢复二极管是普通 PN 结内加了个薄基区 I，为 PIN 结。

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2、反向恢复时间不同。快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us 以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用 PN 结型结构，有的采用改进的 PIN 结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在 1200V 以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在 100 纳秒以下。而肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4–0.5V）、反向恢复时间很短（10-40 纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于 150V，多用于低电压场合。

3、快恢复二极管反向峰值可以达到几百到几千伏；而肖特基二极管反向击穿电压大多不高于 60V，最高仅约 100V，限制其使用。因此像在开关电源变压器次级用 100V 以上的高频整流二极管等只有使用快速恢复（UFRD）。

4、快恢复二极管有 0.8-1.1V 的正向导通压降，而肖特基正向导通压降仅 0.4V 左右。

总的来说，由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为 RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

快恢复二极管可以在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。